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PHP9NQ20T 发布时间 时间:2025/5/7 12:59:49 查看 阅读:11

PHP9NQ20T是一种高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而提高了效率并减少了能量损耗。
  这种MOSFET通常用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要大电流处理能力的应用场景。其出色的热性能和可靠性使得PHP9NQ20T成为许多工业及消费电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:90V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:5.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关时间:ton=10ns, toff=16ns
  功耗:175W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

PHP9NQ20T具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适用于高频应用。
  3. 高雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣条件下也能稳定工作。
  4. 小型化的封装设计,节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 良好的热稳定性,即使在高功率应用场景下也表现出色。

应用

PHP9NQ20T可应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电池保护电路中的负载开关。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动器。
  4. 汽车电子系统的DC/DC转换器。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 其他需要高效功率切换和管理的场合。

替代型号

STP90NF06L
  IRFZ44N
  FDP5800

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PHP9NQ20T参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压200 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流8.7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.4 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间15 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散88 W
  • 上升时间19 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间25 ns
  • 零件号别名PHP9NQ20T,127