PHP9NQ20T是一种高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而提高了效率并减少了能量损耗。
这种MOSFET通常用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要大电流处理能力的应用场景。其出色的热性能和可靠性使得PHP9NQ20T成为许多工业及消费电子产品的理想选择。
最大漏源电压:90V
连续漏极电流:14A
导通电阻:5.5mΩ
栅极电荷:38nC
开关时间:ton=10ns, toff=16ns
功耗:175W
结温范围:-55℃至+175℃
PHP9NQ20T具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,适用于高频应用。
3. 高雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣条件下也能稳定工作。
4. 小型化的封装设计,节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 良好的热稳定性,即使在高功率应用场景下也表现出色。
PHP9NQ20T可应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电池保护电路中的负载开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动器。
4. 汽车电子系统的DC/DC转换器。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 其他需要高效功率切换和管理的场合。
STP90NF06L
IRFZ44N
FDP5800