时间：2025/6/9 18:40:32
阅读：5
SI3483DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，旨在提供低导通电阻和高效率，适用于多种开关应用。
这种功率 MOSFET 的设计目标是减少导通损耗和开关损耗，同时保持良好的热性能和可靠性。它通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等应用中。
型号：SI3483DV-T1-GE3
封装：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：9.5mΩ @ VGS=10V
ID（连续漏极电流）：41A
Qg（栅极电荷）：16nC
fT（特征频率）：3.1MHz
VGSS（最大栅源电压）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI3483DV-T1-GE3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够显著降低功耗并提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷（Qg）设计，有助于在高频操作下降低开关损耗。
3. 高额定电流能力，允许在较高负载条件下使用。
4. 热增强型封装，支持高效的散热管理。
5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，并且具有优越的可靠性和耐用性。
这些特点使 SI3483DV-T1-GE3 成为高性能功率转换和负载控制的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高效功率切换的场合，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 降压和升压 DC-DC 转换器。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 电机驱动电路，例如步进电机或无刷直流电机控制。
5. 各种工业和消费类电子产品的电源管理系统。
由于其高效率和稳定性，SI3483DV-T1-GE3 在汽车电子、通信设备及家用电器领域也备受青睐。
SI3484DS, IRF6652ZPBF
