型号：PHP4N40E
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：400 V
　　栅源电压(VGS)：±30 V
　　连续漏极电流(ID)：4.2 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：16.8 A
　　导通电阻(RDS(on))：1.7 Ω @ VGS = 10 V, ID = 2.1 A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0 ~ 4.0 V @ VDS = VGS, ID = 250 μA
　　输入电容(Ciss)：500 pF @ VDS = 25 V, VGS = 0 V
　　输出电容(Coss)：95 pF @ VDS = 25 V, VGS = 0 V
　　反向恢复时间(trr)：58 ns
　　工作温度范围：-55 ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220 / TO-220FP

PHP4N40E具备多项关键电气与物理特性，使其在中高压功率开关应用中表现优异。首先，其400V的高漏源击穿电压确保了在面对瞬态过压或线路波动时仍能保持稳定工作，适用于多种离线式电源拓扑结构，如反激式、正激式和半桥变换器。其次，该器件在VGS=10V时典型的RDS(on)仅为1.7Ω，这一较低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体电源转换效率，并减少对散热系统的要求。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）相对较低，典型值约为35nC（测试条件可能因数据手册版本而异），这意味着驱动电路所需提供的驱动能量较小，从而允许使用更小的驱动芯片或简化栅极驱动设计，特别适合高频开关操作。此外，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化，在高频下表现出较低的容抗，进一步减少了开关过程中的动态损耗。
　　另一个重要特性是其优秀的热稳定性与可靠性。器件结温最高可达+150°C，且在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其封装采用TO-220标准外形，具有良好的热传导路径，可通过外接散热片将热量迅速传递至外部环境，延长器件寿命。同时，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在意外发生电感放电或电压突升时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的故障耐受能力。
　　此外，PHP4N40E还具有快速的开关响应时间，包括较短的开启延迟时间和关断时间，这使得它在需要精确时序控制的应用中非常适用。其体二极管也具有较低的反向恢复时间（trr≈58ns），有助于减少反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）风险，提升系统EMC性能。综合来看，这些特性使PHP4N40E成为一款适用于多种中等功率开关电源和工业控制应用的理想选择。

PHP4N40E广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其是在交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换器中发挥着重要作用。常见应用场景包括但不限于：离线式反激变换器（Flyback Converter），用于适配器、充电器和小型电源模块；它能够承受整流后的高压直流母线电压（通常为300V左右），并在PWM控制器的驱动下实现高效的能量传递。
　　在通用开关模式电源（SMPS）中，PHP4N40E常作为主开关管使用，凭借其400V的耐压能力和合理的导通电阻，可在成本与性能之间取得良好平衡。此外，该器件也被广泛用于LED照明驱动电源中，特别是在隔离式恒流源设计中，保障灯具长时间稳定运行。
　　在工业控制领域，PHP4N40E可用于电机驱动电路中的低端开关，或作为继电器、电磁阀等感性负载的驱动元件。其较强的抗冲击能力和良好的热管理特性，使其能在恶劣工作环境下长期可靠运行。
　　其他应用还包括UPS不间断电源、电池充电管理系统、家用电器中的功率控制模块（如微波炉、空调风扇控制）以及太阳能逆变器中的辅助电源部分。由于其封装标准化且易于安装维护，因此在维修替换市场中也有较高的需求量。总体而言，只要涉及400V以内、几安培电流等级的功率开关任务，PHP4N40E都是一个成熟可靠的解决方案。

STP4NK40ZFP
　　IRF740
　　FQP4N40E
　　KSP4N40E