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AON6366E 发布时间 时间:2025/4/29 8:48:30 查看 阅读:2

AON6366E是由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于要求高效能和紧凑设计的应用场景。AON6366E的封装形式为SOT-23-3L,适用于空间受限的设计环境。
  AON6366E主要用作负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器中的功率开关。其出色的电气性能使其在消费电子、通信设备和计算机外设等领域得到广泛应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻:18mΩ
  栅极电荷:7nC
  结电容:45pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AON6366E具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 小型化SOT-23-3L封装,适合高密度电路板布局。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗并提升动态响应能力。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。

应用

AON6366E可广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理。
  2. 笔记本电脑适配器及充电器的同步整流功能。
  3. DC-DC转换器中作为主开关或续流二极管替代方案。
  4. 各类负载开关应用,包括USB端口保护与控制。
  5. 工业自动化设备中的小型化功率控制模块。

替代型号

AON6365E, AON6367E

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AON6366E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥2.77176卷带(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)80 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3020 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)46W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线