时间：2025/9/14 20:17:06
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PHP45NQ10T,127是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率转换的电源管理应用中。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等多种应用。该MOSFET采用LFPAK（也称为Power-SO8）封装，具有良好的热性能和空间节省设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：45A
导通电阻（RDS(on)）：最大10.7mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK（Power-SO8）
PHP45NQ10T,127采用了NXP的高性能TrenchMOS技术，使其在低导通电阻和高开关性能之间达到良好平衡。其RDS(on)最大仅为10.7mΩ，在VGS为10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的额定漏极电流高达45A，能够在高功率密度应用中提供稳定的电流处理能力。此外，其LFPAK封装设计不仅提供了优良的热管理能力，还具有更高的机械强度和更小的PCB占位面积，适合在空间受限的设计中使用。该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在突发电压或电感负载切换条件下的可靠性。栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准MOSFET驱动电路，便于集成到现有的功率系统中。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适应广泛的工业和汽车应用需求。其60W的最大功率耗散能力确保在高负载条件下仍能维持稳定运行。此外，PHP45NQ10T,127在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗，适用于同步整流器、DC-DC转换器和电机驱动电路等场景。其优异的热稳定性和低热阻（Rth）特性也使得在高功耗应用中能够保持较低的温升，延长器件寿命并提升系统可靠性。
PHP45NQ10T,127常用于各种功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电动车辆（EV）充电系统、工业电机控制、负载开关、服务器电源和UPS（不间断电源）。该器件的高电流能力和低导通电阻特别适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
SiHH45N10, STD45N10F7AG, IPP45N10N3G, IPW45N10N3
