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PHP33NQ20T 发布时间 时间:2025/6/3 14:22:15 查看 阅读:6

PHP33NQ20T是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著提升系统的效率和性能。
  PHP33NQ20T的设计目标是满足高功率密度和高效能转换的需求,适用于广泛的工业和消费类电子产品。其封装形式通常为TO-252/DPAK,具有良好的散热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:3.3A
  导通电阻:0.45Ω
  栅极电荷:18nC
  开关速度:典型值40ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

PHP33NQ20T具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻设计,能够减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
  3. 较高的漏源击穿电压(200V),确保在高压环境下的稳定运行。
  4. 小型化封装,节省PCB空间,同时具备良好的散热性能。
  5. 支持宽温度范围操作,适应各种严苛的工作条件。
  6. 高可靠性和长寿命,符合严格的工业标准。

应用

PHP33NQ20T主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. 电机驱动器中的功率级开关。
  3. 各类DC-DC转换器。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 工业控制设备中的功率管理模块。
  6. 消费类电子产品的电源管理系统。
  7. 照明应用中的LED驱动电路。

替代型号

STP33NF06L
  IRFZ44N
  FDP5800

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PHP33NQ20T参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压200 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流32.7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.077 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间45 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散230 W
  • 上升时间35 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间43 ns
  • 零件号别名PHP33NQ20T,127