时间：2025/6/19 13:08:27
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PHP33N10是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和电气特性，适用于高电压、大电流的应用环境。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：33A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
总功耗：140W
结温范围：-55℃至+150℃
PHP33N10具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，这使其非常适合用作电源开关或负载驱动器。其快速开关特性和低栅极电荷设计有助于减少开关损耗，提高整体效率。
此外，该器件的高雪崩能量能力增强了系统的鲁棒性，能够承受瞬态过压情况。在实际应用中，PHP33N10还表现出优异的热稳定性和可靠性，适合长时间连续运行的工业级应用场景。
PHP33N10通常被用于直流电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）以及各类工业自动化设备中的功率转换与管理。其强大的电流处理能力和低导通损耗，也使其成为电动汽车辅助系统和太阳能微逆变器的理想选择。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP17N10
