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IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:25:11 查看 阅读:23

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有512K x 16位的存储容量,采用高性能的CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特点。该SRAM适用于需要高速数据存储和快速访问的应用场景,例如嵌入式系统、网络设备、工业控制和通信设备等。

参数

容量:512K x 16位
  访问时间:10ns
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54引脚 TSOP
  接口类型:异步
  功耗:典型值 100mA(待机模式下 < 10μA)

特性

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR 具备多项优异特性,使其适用于多种高性能存储应用需求。该芯片采用高速CMOS技术,提供10ns的访问时间,能够满足对数据读写速度要求较高的系统设计需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V,允许其在不同电源环境下稳定运行,增强了系统的兼容性和灵活性。
  该SRAM芯片的功耗设计非常优化,在正常工作模式下的典型电流为100mA,而在待机模式下的电流消耗低于10μA,非常适合对功耗敏感的应用场景。此外,该芯片支持-40°C至+85°C的工作温度范围,确保在工业级环境条件下依然保持稳定的性能。
  封装方面,IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR采用54引脚TSOP封装形式,便于PCB布局和自动化生产,同时具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于各种工业和通信设备中的应用需求。整体来看,该芯片在速度、功耗、稳定性和封装方面均表现出色,是高性能嵌入式系统的理想选择。

应用

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR SRAM芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统和工业控制设备中。其典型应用包括但不限于以下领域:
  1. 工业控制系统:如PLC(可编程逻辑控制器)、数据采集系统和自动化控制设备,利用其高速访问和宽温工作特性,提高系统的响应速度和稳定性。
  2. 通信设备:如路由器、交换机和基站设备,用于高速缓存数据和临时存储配置信息,提升设备的数据处理能力。
  3. 消费电子产品:如数字电视、机顶盒和多媒体播放器,作为主控芯片的临时存储器,提高设备运行效率。
  4. 网络设备:适用于网络处理器、防火墙和存储控制器等设备,用于实现快速数据缓存和转发。
  5. 汽车电子:如车载导航系统、ADAS(高级驾驶辅助系统)和信息娱乐系统,其宽温特性和高可靠性满足汽车电子的严苛要求。
  该芯片凭借其高速度、低功耗和宽温度范围的特性,成为众多高性能嵌入式系统和工业应用的理想存储解决方案。

替代型号

CY62148EVLL-45ZE3C, IDT71V416SA10PFG, IS64WV25616EBLL-10B2LI-TR

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IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥55.80832卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织512K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页10ns
  • 访问时间10 ns
  • 电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)