型号：PHN603S/T3
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-100mA
　　脉冲漏极电流(IDM)：-280mA
　　导通电阻(RDS(on))：1.1Ω（@ VGS = -10V）, 1.4Ω（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：约90pF
　　输出电容(Coss)：约50pF
　　反向传输电容(Crss)：约10pF
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
　　封装：SOT-723 (SOT-563)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

PHN603S/T3采用先进的沟槽型MOSFET结构，具备出色的电气性能和热稳定性。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS = -10V条件下，RDS(on)典型值仅为1.1Ω，这使得器件在导通状态下产生的功率损耗非常小，从而提高了整体系统的能效，特别适合用于对功耗敏感的电池供电设备。此外，即使在较低的栅极驱动电压下（如-4.5V），其导通电阻仍保持在1.4Ω左右，表现出良好的驱动兼容性，能够与3.3V或5V逻辑信号直接接口而无需额外的电平转换电路。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss约90pF，Coss约50pF），使其在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关过程中的能量损耗。同时，较小的反向传输电容（Crss约10pF）降低了米勒效应的影响，提升了器件在高速开关环境下的抗干扰能力和稳定性。
　　PHN603S/T3的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，确保了器件在不同工作条件下的可靠开启与关断，避免因阈值漂移导致的误动作。其最大漏源电压为-30V，适用于多种低压直流电源系统，例如单节或多节锂电池供电的设备。尽管其连续漏极电流为-100mA，但在脉冲模式下可承受高达-280mA的瞬态电流，满足短时大电流负载的需求。
　　该MOSFET采用SOT-723超小型封装，尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 0.95mm，极大节省了PCB空间，适用于高度集成的便携式电子产品。封装材料具有良好的散热性能和机械强度，能够在宽温度范围内稳定工作（-55℃至+150℃），适应严苛的工业和车载环境。此外，产品符合AEC-Q101可靠性标准（如适用），并通过了无卤素和RoHS认证，支持环保生产流程。

PHN603S/T3主要应用于需要高效、小型化电源管理解决方案的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载切换，例如智能手机、平板电脑、智能手表和蓝牙耳机等设备中的模块供电控制。在这些应用中，该MOSFET可用于控制不同功能模块（如Wi-Fi、GPS、摄像头）的上电与断电，实现按需供电以延长电池续航时间。
　　另一个重要应用是电池供电系统的反向电压保护电路。当电池错误接入或发生反接时，PHN603S/T3可以迅速切断电流路径，防止后级电路受损，保障系统安全。此外，它也常用于过压/欠压锁定（OVP/UVP）保护电路中，作为受控开关元件参与电源监控机制。
　　在多电源选择电路中，PHN603S/T3可用于自动切换主电源与备用电源（如电池与外部适配器之间的切换），确保系统持续稳定运行。由于其低静态功耗和快速响应特性，该器件也非常适合用于待机模式下的电源门控，显著降低系统在休眠状态下的漏电流。
　　工业领域中，该MOSFET可用于传感器模块、无线通信模块（如LoRa、NB-IoT）的电源管理单元，以及小型PLC或数据采集设备中的信号通断控制。此外，在LED驱动、电机驱动的小信号控制回路中也可作为高端开关使用。凭借其高可靠性和紧凑封装，PHN603S/T3成为现代电子设计中理想的P沟道开关器件之一。

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　　 "DMG2302UKS-7",
　　 "FMMT718",
　　 "AO8803",
　　 "RTQ2003AHGSP",
　　 "Si2301ADS"
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