时间：2025/5/27 18:31:15
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2SK3230-T1是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频、高电压应用场合。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和良好的开关特性，适用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。其T1封装形式有助于提高散热性能，从而增强整体系统的稳定性。
最大漏源电压：1500V
最大漏极电流：4A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：7.5Ω
输入电容：1150pF
功耗：36W
工作温度范围：-55℃至+150℃
2SK3230-T1拥有出色的耐压能力，能够承受高达1500V的漏源电压，这使其非常适合高压环境下的应用。同时，该器件具备较低的导通电阻，仅为7.5Ω，在大电流条件下可以有效减少功率损耗。此外，其快速的开关速度和稳定的动态性能也使其成为高频电路的理想选择。
由于采用T1封装，2SK3230-T1还具有较好的散热性能，能够支持长时间高负荷运行。结合其宽广的工作温度范围（-55℃至+150℃），该器件能够在极端环境下保持稳定表现。
2SK3230-T1主要应用于需要高电压、低损耗特性的领域，例如开关电源中的主开关管、逆变器中的功率转换模块、电机驱动中的控制电路以及各种工业设备中的高压电子开关。此外，它还可以用于电力电子设备中作为保护电路的关键元件。
2SK3231, IRFP260N
