PHN203,518 时间：2025/9/14 7:57:29 阅读：5

PHN203,518 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用，适用于多种电源管理和功率转换电路。其封装形式为 TO-220AB，是一种广泛使用的标准功率晶体管封装，具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：200V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　最大漏极电流 Id：1.3A
　　导通电阻 Rds(on)：2.5Ω @ Vgs=10V
　　耗散功率 Ptot：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-220AB

特性

PHN203,518 具备较高的耐压能力和良好的导通性能，适用于需要高稳定性和可靠性的电源应用。该器件采用了先进的高压工艺技术，能够在较高的工作电压下保持良好的性能。其导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该 MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下正常工作，适用于各种恶劣工作条件。
　　PHN203,518 的封装形式为 TO-220AB，具备良好的散热能力，方便安装在标准散热片上，适用于需要高效散热的应用场景。该器件还具备较强的抗过载能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种常见的驱动电路设计，便于工程师进行电路设计和优化。
　　此外，PHN203,518 在制造过程中采用了高质量的半导体材料和先进的封装工艺，确保了器件的长期稳定性和可靠性。该 MOSFET 广泛应用于工业电源、电机驱动、DC-DC 转换器、电池管理系统等场合。

应用

PHN203,518 主要用于以下应用领域：
　　1. 工业电源系统：用于开关电源、稳压电源等设备中，提供高效的功率转换和稳定的输出性能。
　　2. 电机驱动电路：在小型电机控制电路中，作为开关元件控制电机的启停和转速。
　　3. DC-DC 转换器：在升压、降压或反相转换电路中，用于实现高效的电压转换。
　　4. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中，提供可靠的开关控制。
　　5. 照明设备：在 LED 驱动电路中，作为功率开关元件控制光源的亮度。