时间：2025/9/14 19:17:51
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BST39,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用 SOT223 封装形式，具备良好的热性能和高电流承载能力，适合用于低电压和高电流的开关应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：0.45Ω（典型值）
功率耗散(Pd)：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT223
BST39,115 具备低导通电阻特性，有助于减少导通损耗并提高效率，适用于高频率开关应用。
该器件的栅极驱动电压范围宽，可在不同电源电压下稳定工作，具备良好的兼容性。
其 SOT223 封装形式提供良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，BST39,115 具有高耐用性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子设备。
BST39,115 主要用于直流电机控制、电源转换器、负载开关、电池管理系统以及 LED 照明控制等应用场景。
在电源管理方面，该器件可作为高效的开关元件，用于 DC-DC 转换器和同步整流电路。
在电机控制方面，BST39,115 可用于驱动小型直流电机和步进电机，提供可靠的开关性能。
同时，该 MOSFET 也适用于各类嵌入式系统中的电源开关和负载控制电路。
BST39-0L,115 / BUZ100 / IRFZ44N
