时间：2025/9/15 1:13:55
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PHKD3NQ10T是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。PHKD3NQ10T封装在高性能的DPAK（TO-252）封装中，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值）
功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
PHKD3NQ10T采用了先进的Trench MOSFET技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件具有高电流容量和卓越的热性能，能够在高功率条件下稳定工作。此外，PHKD3NQ10T还具备良好的雪崩能量承受能力和短路耐受能力，提高了器件在严苛环境下的可靠性。
其DPAK封装设计使得该MOSFET易于安装在PCB上，并具备良好的散热性能。此外，该器件的栅极驱动要求较低，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。
PHKD3NQ10T的制造工艺符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统中的高可靠性需求。
PHKD3NQ10T广泛应用于汽车电子系统、工业电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及高功率脉宽调制（PWM）控制器中。该器件特别适合需要高效率和高可靠性的电源管理应用。
IRF1405, SiR140DP, PHK3NQ10T
