类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-123
　　齐纳电压（Vz）：13.0 V（@ Iz = 20 mA）
　　最大齐纳电流（Izmax）：100 mA
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流（Ir）：100 nA（@ Vr = 1 V）
　　测试电流（Iz）：20 mA

HMBZ5243BL1G 具有稳定的齐纳击穿电压特性，能够在较宽的电流范围内维持恒定的电压输出。其齐纳电压在额定电流条件下保持在 13.0 V 左右，适用于中低功率的稳压应用。该器件采用了先进的硅扩散工艺，确保了良好的温度稳定性和长期可靠性。此外，SOD-123 封装具备较小的体积和优良的热性能，适合用于高密度 PCB 布局。
　　该齐纳二极管的动态阻抗较低，有助于减小负载变化对输出电压的影响。其反向漏电流在未击穿状态下保持在极低水平（通常小于 100 nA），从而降低了待机状态下的功耗。在过载或异常工作条件下，HMBZ5243BL1G 可以有效地限制电压，保护后续电路免受损坏。
　　该器件符合 RoHS 环保标准，不含铅和卤素，适用于各类工业和消费类电子产品。

HMBZ5243BL1G 主要用于电源管理电路中作为电压参考源，例如在 DC-DC 转换器、LDO 稳压器和电池充电电路中提供稳定的参考电压。它也可用于过压保护电路，作为钳位元件限制电压幅值，保护敏感的电子元件免受高压冲击。此外，在信号调理电路中，HMBZ5243BL1G 可用于限制信号幅度，防止过电压损坏后续放大器或 ADC 模块。
　　该器件适用于通信设备、汽车电子、工业控制系统、消费类电子产品和便携式设备等领域。其小型化封装和良好的电气性能使其特别适合于空间受限且要求高可靠性的应用场合。

1N4742A-T, BZX84-C13, MMSZ5243B-13-F