时间：2025/6/9 18:43:42
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PHD55N03LT 是一款 N 沣道通态场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-263 封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 55V，适合在中低压环境下使用，同时其优异的动态性能和热稳定性使其成为众多功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9.6A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：18nC
反向恢复时间：-
功耗：44W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
PHD55N03LT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型值下仅为 7mΩ，从而减少了导通状态下的功率损耗。
2. 高速开关性能，通过优化的栅极电荷设计，可以快速切换以适应高频应用需求。
3. 提供卓越的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
4. 采用了先进的制造工艺，确保了器件的一致性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的严格要求。
PHD55N03LT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器，用于电池供电设备或汽车电子系统。
3. 电机驱动电路，适用于家用电器、工业控制和电动工具。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. LED 驱动电路以及太阳能逆变器等功率管理应用。
IRLZ44N, FDP55N03L, AO3402A
