PHD2N50E 时间：2025/12/27 20:35:25 阅读：16

PHD2N50E是一款由Power Integration（现属于Diodes Incorporated）生产的高压MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他高电压功率管理场合。该器件采用先进的平面技术制造，具备高击穿电压和低导通电阻的特点，适合在高效率、小体积的电源设计中使用。PHD2N50E的封装形式通常为TO-220或TO-220F，具有良好的热性能和电气隔离能力，适用于工业控制、消费电子和照明电源等应用领域。该MOSFET的额定漏源电压（Vds）为500V，能够承受较高的瞬态电压冲击，确保系统在恶劣工作条件下的稳定性。此外，其栅极阈值电压适中，易于驱动，可与多种PWM控制器配合使用。由于采用了耐用的工艺设计，PHD2N50E在高温环境下仍能保持可靠的性能表现，是中等功率电源设计中的理想选择之一。

参数

型号：PHD2N50E
　　封装类型：TO-220/TO-220F
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：2A（连续）
　　最大功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值6.5Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：约380pF（在Vds=25V, f=1MHz条件下）
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反向恢复时间（trr）：无（标准MOSFET，非超快恢复型）
　　雪崩能量额定值：具备一定的重复雪崩能力，具体数值参考数据手册

特性

PHD2N50E具备出色的高压耐受能力和稳定的电气性能，其500V的漏源击穿电压使其适用于离线式开关电源设计，尤其是在AC-DC转换器中作为主开关管使用。该器件采用平面栅极结构，能够在高电压下保持良好的栅极氧化层可靠性，减少长期运行中的失效风险。其导通电阻在同类500V MOSFET中处于合理水平，虽然并非超低Rds(on)器件，但在2A电流范围内仍能提供可接受的导通损耗，适合用于中小功率应用。器件的热阻较低，结合TO-220封装良好的散热能力，可在自然对流或加装散热片的情况下稳定工作。
　　PHD2N50E的栅极电荷（Qg）相对适中，这意味着驱动电路不需要提供过大的驱动电流即可实现快速开关，有助于降低驱动损耗并简化栅极驱动设计。其输入电容和反向传输电容（Crss）控制得当，减少了开关过程中的噪声耦合，提升了系统的EMI性能。该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，在电源发生短路或过载时能够承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。此外，器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
　　在可靠性方面，PHD2N50E经过严格的生产测试和质量控制流程，具备高良率和长寿命特性。其工作结温可达150°C，支持在高温环境中长期运行，适用于工业级应用场景。器件还具备良好的dv/dt抗扰能力，降低了因电压突变引起的误触发风险。由于其引脚兼容性强，PHD2N50E可作为多种500V/2A等级MOSFET的替代品，广泛用于LED驱动电源、适配器、充电器和小型逆变器等设备中。

应用

PHD2N50E主要应用于中小功率的开关电源系统中，典型用途包括离线式反激变换器（Flyback Converter），用于将交流市电（如85VAC～265VAC）转换为稳定的直流输出，常见于手机充电器、笔记本电脑适配器和家用电器电源模块。此外，它也适用于DC-DC升压或降压拓扑结构，在工业控制电源、智能电表和网络通信设备中作为功率开关元件使用。由于其具备较高的电压额定值和可靠的热性能，该器件还可用于LED照明驱动电源，特别是在恒流输出的隔离型设计方案中表现优异。在待机电源（Standby Power Supply）或辅助电源（Auxiliary Rail）中，PHD2N50E能够以高效率运行，满足节能标准要求。同时，它也可用于小型逆变器、UPS不间断电源以及电池管理系统中的功率切换环节。得益于其坚固的封装和稳定的电气特性，PHD2N50E在环境较为严苛的工业和户外设备中也有广泛应用。