类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：55A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值12.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

PHB55N03LT/T3 MOSFET的一个关键特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件在Vgs=10V时可提供高达55A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
　　此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提高了热稳定性和电气性能。其PowerFLAT 5x6封装不仅提供了优异的热传导性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，从而提升系统的可靠性。PHB55N03LT/T3 还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　在保护特性方面，该MOSFET具备良好的短路和过热耐受能力，在高负载条件下仍能保持稳定工作，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子应用。

PHB55N03LT/T3 主要应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、电源分配系统以及高性能计算设备的电源模块等。
　　在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、LED照明驱动电路、车身控制模块等场景。
　　此外，该MOSFET也广泛用于工业自动化设备、智能电表、服务器电源、通信设备电源模块以及UPS（不间断电源）系统中，为高效率、高可靠性电源设计提供理想选择。

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　　 "IRF55N03D",
　　 "FDP55N03AL",
　　 "IPB55N03S4-03",
　　 "STD55N03L"
　　]