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PS2010RG_AY_00001 发布时间 时间:2025/8/14 12:14:29 查看 阅读:12

PS2010RG_AY_00001 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效功率管理的电子设备中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高功率处理能力,适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效率功率控制的应用。PS2010RG_AY_00001 采用小型封装设计,以适应紧凑型电子设备的需求,同时在高温环境下仍能保持稳定工作。

参数

类型:功率MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):20V
  栅极-源极电压(Vgs):±12V
  漏极电流(Id):5.6A(最大值)
  导通电阻(Rds(on)):10mΩ(典型值,@Vgs=4.5V)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TSMT(双面散热DFN封装)

特性

PS2010RG_AY_00001 的关键特性之一是其非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其10mΩ的Rds(on)在4.5V的栅极驱动电压下表现优异,使得该器件在低电压应用中尤其适合。此外,该MOSFET采用TSMT(双面散热DFN)封装,提供优异的散热性能,有助于在高负载条件下维持较低的温度上升。
  另一个显著特点是其高电流承载能力,最大漏极电流为5.6A,使其适用于中等功率应用。该器件的栅极驱动电压范围为±12V,确保了在各种控制电路中的兼容性。此外,PS2010RG_AY_00001 的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业级和汽车级应用。
  由于其小型封装设计,PS2010RG_AY_00001 非常适合空间受限的设计,例如便携式电子设备、电源管理系统和电池供电设备。其高稳定性和可靠性也使其在要求严苛的应用中表现出色。

应用

PS2010RG_AY_00001 广泛应用于多种功率电子系统中,包括DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电池管理系统以及小型电机控制电路。由于其低导通电阻和高效率特性,该器件常用于需要节能设计的便携式设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及无人机等新兴电子产品。此外,PS2010RG_AY_00001 也适用于汽车电子系统,如车载充电器、车身控制模块和电池管理系统。
  在工业自动化和控制系统中,PS2010RG_AY_00001 用于驱动小型电机、继电器和LED照明系统。由于其优异的散热性能,该MOSFET在高负载应用中仍能保持良好的稳定性,从而延长系统的使用寿命。此外,它还可用于服务器电源、UPS(不间断电源)和储能系统等高可靠性应用场景。

替代型号

RQ4014DNS、DMN61D8LVTN-13、FDMS8878、Si2302DS

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