时间：2025/9/14 17:10:28
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PHB191NQ06LT,118 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于多种功率管理应用，能够提供可靠的性能和较高的能效。该器件采用无铅环保封装，符合 RoHS 标准。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：D2PAK（TO-263AB）
安装类型：表面贴装（SMD）
PHB191NQ06LT,118 是一款高性能功率 MOSFET，其主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。采用先进的 Trench 技术，该器件在高频开关应用中表现出色，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。
该器件的封装形式为 D2PAK（TO-263AB），具有良好的热管理和机械稳定性，能够在高功率密度环境下稳定工作。此外，其表面贴装（SMD）封装方式便于自动化生产和 PCB 布局优化。
PHB191NQ06LT,118 的栅极驱动电压范围为 ±20V，支持标准逻辑电平驱动，兼容多种控制器和驱动器。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，确保在极端环境下的可靠运行。
在可靠性方面，该器件通过了严格的工业标准测试，具有优异的抗静电能力和热稳定性，适合工业、汽车和消费类电子产品的使用需求。
PHB191NQ06LT,118 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用场景：电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、汽车电子（如车载充电器、电动助力转向系统）以及高功率 LED 驱动器等。
由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于高效率电源转换和高频开关电路中。在新能源汽车、储能系统和智能电网等新兴领域中，PHB191NQ06LT,118 也能提供稳定的性能支持。
SiS828DN-T1-GE3, IRF1405PBF, FDP1405N, IPB191NQ06N3 G,118
