时间：2025/9/1 20:13:18
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H5TC4G43BFR是一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片，由SK Hynix公司制造。这种芯片被设计用于提供高密度存储解决方案，适用于需要大量内存的应用场景。H5TC4G43BFR的容量为4GB，工作频率高达1600MHz，是高性能计算系统中的常用内存组件。该芯片采用FBGA封装技术，具有较小的物理尺寸和良好的电气性能。
类型：DRAM
容量：4GB
频率：1600MHz
封装类型：FBGA
工作电压：1.35V/1.5V（具体根据型号后缀不同）
数据宽度：x4
刷新周期：64ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
H5TC4G43BFR具有低功耗特性，适用于便携式设备和需要节能的系统。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不丢失数据的情况下降低功耗。
它具备良好的散热性能，能够在高负载下保持稳定运行。
此DRAM芯片还具有较高的数据传输速率，能够满足高速计算的需求。
此外，H5TC4G43BFR的封装设计使其能够适应紧凑的PCB布局，适合在空间受限的设计中使用。
其高可靠性和长寿命使其成为工业级应用的理想选择。
H5TC4G43BFR主要用于高端嵌入式系统、服务器、网络设备、图形卡以及高性能计算设备。它也适用于需要大量内存的消费类电子产品，如高端智能手机和平板电脑。由于其低功耗和高性能的特点，该芯片在移动设备中特别受欢迎。
H5TC4G63AFR、H5TC4G63BFR、H5TC4G43AFA
