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H5TC4G43BFR 发布时间 时间:2025/9/1 20:13:18 查看 阅读:8

H5TC4G43BFR是一种DRAM(动态随机存取存储器)芯片,由SK Hynix公司制造。这种芯片被设计用于提供高密度存储解决方案,适用于需要大量内存的应用场景。H5TC4G43BFR的容量为4GB,工作频率高达1600MHz,是高性能计算系统中的常用内存组件。该芯片采用FBGA封装技术,具有较小的物理尺寸和良好的电气性能。

参数

类型:DRAM
  容量:4GB
  频率:1600MHz
  封装类型:FBGA
  工作电压:1.35V/1.5V(具体根据型号后缀不同)
  数据宽度:x4
  刷新周期:64ms
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H5TC4G43BFR具有低功耗特性,适用于便携式设备和需要节能的系统。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不丢失数据的情况下降低功耗。
  它具备良好的散热性能,能够在高负载下保持稳定运行。
  此DRAM芯片还具有较高的数据传输速率,能够满足高速计算的需求。
  此外,H5TC4G43BFR的封装设计使其能够适应紧凑的PCB布局,适合在空间受限的设计中使用。
  其高可靠性和长寿命使其成为工业级应用的理想选择。

应用

H5TC4G43BFR主要用于高端嵌入式系统、服务器、网络设备、图形卡以及高性能计算设备。它也适用于需要大量内存的消费类电子产品,如高端智能手机和平板电脑。由于其低功耗和高性能的特点,该芯片在移动设备中特别受欢迎。

替代型号

H5TC4G63AFR、H5TC4G63BFR、H5TC4G43AFA

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