时间：2025/8/23 2:37:55
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SKNH56/04D 是一款由 SEMIKRON（赛米控）制造的双封装IGBT模块，广泛用于高功率应用，例如工业电机驱动、电力电子变换器和可再生能源系统。该模块集成了两个IGBT器件和对应的反并联二极管，采用高性能封装技术，确保在高电压和大电流条件下的可靠运行。
类型：双封装IGBT模块
额定集电极-发射极电压（VCES）：400V
额定集电极电流（IC）：56A（在特定温度下）
最大工作温度：150°C（结温）
短路耐受能力：典型值为10μs
封装类型：高性能双封装（Double Sided Cooling, DSC）
绝缘等级：符合UL认证，满足工业标准
热阻：根据散热条件不同而变化
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
SKNH56/04D 采用双面冷却（DSC）封装技术，使得模块在高功率密度应用中具有更优异的热管理性能。模块中的IGBT芯片具有低导通压降和开关损耗，提升了整体效率。此外，该模块具备良好的短路保护能力，能够在瞬态过载条件下维持稳定运行。
模块内部的两个IGBT单元采用独立封装设计，适用于半桥拓扑或并联使用，灵活性高。SKNH56/04D 还具有优异的绝缘性能和抗干扰能力，适用于恶劣的工业环境。其封装材料符合RoHS标准，并具备高机械强度，确保长期可靠性。
该模块适用于高频开关应用，具有较低的寄生电感，可有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。模块内部的热阻设计优化，使得在高功率运行时仍能保持较低的结温，延长使用寿命。
SKNH56/04D 常用于工业电机控制、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电器以及电机驱动系统等高功率场合。其双封装结构特别适合需要高可靠性和紧凑设计的电力电子系统。
SKM50GB063D; FF50R12KT4; FS50R12KE3
