PHB110NQ08T 时间：2025/9/15 2:28:01 阅读：6

PHB110NQ08T是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。PHB110NQ08T通常用于汽车电子、工业控制、电源管理和DC-DC转换器等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A（在25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为5.8mΩ（在VGS=10V时）
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

PHB110NQ08T的特性包括低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高能效。其高电流承载能力和低RDS(on)特性使其非常适合用于高功率密度设计。此外，该MOSFET采用PowerFLAT封装，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。该器件还具备快速开关特性，降低了开关损耗，并提高了系统效率。此外，PHB110NQ08T具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过载条件，从而增强了系统的可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。

应用

PHB110NQ08T广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）。在工业领域，该器件常用于电机驱动、逆变器、DC-DC转换器和电源管理系统。此外，它还适用于电信设备、服务器电源和高功率LED照明系统等高可靠性应用。由于其优异的电气和热性能，PHB110NQ08T在需要高效能功率开关的场合中具有很高的实用价值。