H2JTDG8UD1BMS 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的内存解决方案。该型号具体为8GB容量,采用16位数据总线宽度,工作电压为1.35V,适用于需要高效数据存储与处理的应用场景,如服务器、个人计算机、嵌入式系统等。该芯片封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),具有良好的散热性能和稳定性。
容量:8GB
数据宽度:16位
电压:1.35V
封装类型:FBGA
工作温度范围:0°C至85°C
时钟频率:800MHz
数据传输速率:1600Mbps
组织结构:x16
H2JTDG8UD1BMS 芯片具备低功耗设计,适合需要长时间运行的设备,其1.35V的低压工作模式有效降低了能耗,有助于提升系统整体能效。该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,能够在不牺牲数据完整性的前提下降低功耗,适用于移动设备和节能型系统。此外,其1600Mbps的数据传输速率确保了快速的数据存取能力,提升了系统响应速度。FBGA封装不仅提升了芯片的散热性能,还增强了其在高密度PCB布局中的适应性。
这款DRAM芯片还具备良好的兼容性,可与多种主板和控制器配合使用,适用于不同类型的计算设备。其x16配置使其在处理大容量数据时表现出色,尤其适合用于图形处理、数据库管理、虚拟化等高性能计算场景。同时,该芯片具备较高的稳定性和可靠性,在高负载和复杂环境下仍能保持稳定的运行表现。
H2JTDG8UD1BMS 主要应用于需要高性能内存的计算设备,包括但不限于台式机、笔记本电脑、服务器、工作站、嵌入式系统以及工业计算机。在服务器和数据中心中,该芯片可用于提升系统内存容量,支持更高效的数据处理和存储能力。在个人计算机中,该芯片可作为主内存扩展模块,提升多任务处理能力和运行速度。在工业和嵌入式应用中,其高稳定性和宽工作温度范围使其适用于自动化控制系统、网络设备、监控系统等对可靠性要求较高的环境。
H5TC4G63AFR-PBA