时间：2025/9/14 16:26:17
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PHB110NQ08T,118是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用，具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。采用TISON（TrenchShield Integrated Shielded Overmold）封装技术，该MOSFET具有较小的封装尺寸，同时具备良好的电气性能和散热能力。PHB110NQ08T,118广泛应用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：80V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：110A（在25°C时）
导通电阻(RDS(on))：典型值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散(PD)：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TSON10（Power-SO8兼容）
引脚数：8
栅极电荷(Qg)：典型值为55nC（在VGS=10V时）
漏源击穿电压(BVDS)：80V
最大漏极功耗：120W
PHB110NQ08T,118是一款采用先进Trench MOSFET技术制造的功率MOSFET，具有极低的导通电阻(RDS(on))，在VGS=10V时，典型值为3.2mΩ，这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其最大连续漏极电流为110A，在高功率密度应用中表现出色。该MOSFET采用TSON10封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合空间受限的设计。TISON封装还集成了屏蔽技术，降低了电磁干扰(EMI)，提高了器件在高频开关应用中的稳定性。
PHB110NQ08T,118支持宽范围的栅极驱动电压，最大栅源电压为±20V，兼容常见的驱动电路。其工作温度范围为-55°C至175°C，适应严苛的工作环境。该器件的热阻(Rth)较低，确保在高负载条件下仍能保持良好的热性能，延长使用寿命。
此外，该MOSFET具有出色的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。PHB110NQ08T,118符合RoHS环保标准，适用于汽车电子和工业自动化等对环保要求较高的领域。其高可靠性和优异的电气性能使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
PHB110NQ08T,118广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。在汽车电子领域，该MOSFET可用于电动车辆和混合动力汽车的电池管理系统、DC-DC转换器、车载充电器和电机控制器。在工业电源方面，PHB110NQ08T,118适用于服务器电源、电信电源、工业自动化设备和不间断电源(UPS)等应用。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效DC-DC降压转换器和同步整流器的理想选择。
此外，PHB110NQ08T,118也适用于负载开关、电源管理模块和电机驱动电路。在电机控制应用中，该MOSFET可提供高效率的功率切换，减少能量损耗并提高系统响应速度。由于其优异的热性能和EMI抑制能力，PHB110NQ08T,118也可用于高频开关电源和紧凑型电源模块设计。
IRF110N80B、SiR110N80、FDMS8018、IPB110NQ08N3、STM110N8F8
