型号：PH75S110-12
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：110V
　　最大连续漏极电流（ID）：75A（在25°C下）
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ（典型值，VGS = 10V, ID = 37.5A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V（在ID = 1mA时）
　　输入电容（Ciss）：约6800pF（VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz）
　　输出电容（Coss）：约1200pF
　　反向传输电容（Crss）：约180pF
　　最大功耗（PD）：约200W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

PH75S110-12具有卓越的电气性能和热稳定性，是高性能电源系统中的理想选择。其核心优势之一在于极低的导通电阻（RDS(on)），仅为12mΩ，在大电流应用中显著降低了导通损耗，提高了整体能效。这一特性使得它在高功率密度设计中尤为重要，尤其是在需要长时间持续大电流工作的场合，如服务器电源、工业电机控制和电动汽车充电模块等。器件采用了优化的晶圆结构和先进的封装工艺，确保了在高电流和高频率切换条件下的可靠运行。
　　该MOSFET具备快速开关能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），能够有效减少开关过程中的能量损耗，从而提升电源转换效率。同时，其输入电容、输出电容和反向传输电容均经过精心设计，以平衡开关速度与电磁干扰（EMI）之间的关系，避免因过快的dv/dt或di/dt引发噪声问题。这使其非常适合用于高频PWM控制电路中。
　　PH75S110-12还具备优良的热传导性能，TO-220封装支持直接安装散热片，有助于将芯片产生的热量迅速传递到外部环境，防止结温过高导致性能下降或损坏。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端环境温度下正常工作，增强了系统的环境适应性。
　　此外，该器件具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载断开时承受一定的能量冲击，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。内置体二极管也经过优化，具有较低的反向恢复时间（trr）和反向恢复电荷（Qrr），进一步减少了续流过程中的损耗。这些综合特性使PH75S110-12成为高可靠性、高效率电源设计中的优选器件。

PH75S110-12主要应用于各类需要高效能、大电流开关能力的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、电机驱动器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及工业自动化控制系统。由于其高达110V的漏源耐压和75A的连续电流承载能力，特别适合用于中等电压等级的电源拓扑结构，如半桥、全桥和LLC谐振转换器等。
　　在通信电源和网络设备供电单元中，PH75S110-12可用于主开关管或同步整流管，实现高效率的能量转换。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也可作为关键的功率开关元件，参与直流母线的电压调节与能量传输。此外，在电动工具、电动车车载充电机（OBC）及充电桩辅助电源模块中，PH75S110-12凭借其优异的热性能和动态响应能力，表现出良好的适用性。
　　在照明应用方面，尤其是大功率LED路灯和工业照明系统中，该MOSFET可用于恒流驱动电路，确保光源稳定发光并延长使用寿命。其快速开关特性也有助于实现精确的调光控制。在家电领域，如变频空调、洗衣机和冰箱的压缩机驱动电路中，PH75S110-12可作为功率开关，配合MCU或专用驱动IC完成电机调速功能。
　　总体而言，只要涉及中高压、大电流、高频率开关操作的应用场景，PH75S110-12都具备广泛的应用潜力，并能显著提升系统效率与可靠性。

APT75GN60B
　　STP75NF75
　　FQP75N10