PH28F320B3BD70 时间：2025/12/26 17:06:20 阅读：12

PH28F320B3BD70是英特尔（Intel）推出的一款并行接口的NOR闪存芯片，属于其成熟的StrataFlash Embedded Memory系列。该器件采用先进的MirrorBit技术，能够在单个存储单元中存储两个独立的比特信息，从而在不增加芯片物理尺寸的情况下显著提升存储密度。PH28F320B3BD70的存储容量为32兆字节（256兆位），组织方式为16位数据总线，适合需要高可靠性、快速读取和频繁擦写操作的应用场景。该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、网络基础设施以及嵌入式系统中，特别是在需要代码存储和执行（XIP, eXecute In Place）功能的场合表现优异。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB设计中使用。由于其出色的性能和稳定性，PH28F320B3BD70在发布后成为许多高端嵌入式系统的首选闪存解决方案之一。尽管英特尔已逐步将闪存业务转移或调整，但该型号仍在许多现有系统中持续使用，并可通过授权制造商或二级供应商获取。

参数

型号：PH28F320B3BD70
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：32 MB (256 Mbit)
　　组织结构：16位数据总线（x16）
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-56
　　接口类型：并行异步接口
　　读取访问时间：70ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供
　　擦除扇区大小：可变扇区架构，包括8 KB、32 KB 和 64 KB 扇区
　　写保护功能：支持硬件写保护和软件写保护
　　兼容性：符合JEDEC标准的FPBGA和TSOP封装要求
　　可靠性：典型数据保持时间超过100年，擦写次数可达10万次

特性

PH28F320B3BD70采用英特尔独有的MirrorBit技术，这项创新技术通过在氮化物层中存储两个独立电荷区域的方式，实现了一个物理单元存储两个比特的数据，极大地提升了存储密度而无需缩小工艺节点。这种结构不仅提高了容量效率，还增强了数据的长期稳定性。该芯片支持快速随机读取，70ns的访问时间使其非常适合直接从闪存中执行代码的应用，避免了将程序加载到RAM的额外开销，从而节省系统资源并提高启动速度。其可变扇区架构提供了灵活的擦除和编程能力，用户可以根据实际需求选择不同大小的扇区进行操作，既保护了关键固件区域，又允许对非关键区域进行频繁更新。
　　该器件具备强大的耐久性和数据保持能力，支持高达10万次的擦写周期，并能保证在极端环境条件下（-40°C至+85°C）稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。内置的电荷泵电路简化了系统设计，无需外部高压编程电源即可完成编程和擦除操作。此外，PH28F320B3BD70集成了多种保护机制，包括软件锁定、硬件WP引脚控制以及VPP检测功能，有效防止意外写入或误擦除，确保系统固件的安全性。芯片还支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。整体设计符合RoHS环保标准，适用于全球范围内的电子产品制造。

应用

PH28F320B3BD70因其高性能、高可靠性和代码执行能力，被广泛应用于多种嵌入式系统和工业电子设备中。在通信领域，它常用于路由器、交换机和基站控制器中存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持快速启动和远程固件升级。在工业自动化控制系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和现场总线模块，提供稳定的程序存储和运行环境。汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和ADAS（高级驾驶辅助系统）的子模块，也采用此类闪存来存储关键控制代码和校准数据。
　　此外，医疗设备制造商利用PH28F320B3BD70的高可靠性和长数据保持特性，将其用于便携式监护仪、成像设备和诊断仪器中，确保存储的软件和患者数据不会因断电或环境变化而丢失。测试与测量仪器、POS终端、安防监控设备等也需要这种能够承受频繁读写且具备良好温度适应性的存储解决方案。由于其并行接口带宽较高，特别适合需要高吞吐量数据访问的场景。即使在现代串行闪存日益普及的背景下，PH28F320B3BD70仍在一些对延迟敏感、要求本地执行代码的老一代或定制化系统中发挥着不可替代的作用。