时间：2025/9/14 19:52:08
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PH2625L,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于多种高功率应用，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能等特点。PH2625L 采用 TSSOP 封装（8 引脚），适合用于空间受限的设计中。该器件广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=10V；33mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散：3.1W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TSSOP-8
PH2625L,115 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 10A 工作电流下可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS 为 10V 时，Rds(on) 仅为 26mΩ，而在 4.5V 栅极驱动下则为 33mΩ，这使其兼容标准逻辑电平驱动电路。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频工作的稳定性。
PH2625L 的 TSSOP-8 封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理能力，适合高密度 PCB 布局。该器件的热阻（Rth(j-a)）为 60°C/W，确保在标准工作环境下能够有效散热。同时，PH2625L 具有高雪崩能量耐受能力，提升了器件在瞬态过压和过流情况下的可靠性。
该 MOSFET 还具备良好的抗静电（ESD）能力，符合行业标准，提高了在自动化装配和实际应用中的稳定性。此外，其封装材料符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于绿色电子产品设计。
PH2625L,115 适用于多种中功率和高效率应用。在电源管理领域，该器件可用于同步整流、负载开关、电池管理系统和 DC-DC 转换器。由于其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于 Boost 和 Buck 转换器拓扑结构。此外，PH2625L 可用于电机控制、LED 驱动器以及工业自动化系统中的功率开关模块。
在消费类电子产品中，PH2625L 广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路中，如电源路径管理、充电控制和电源开关。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）等场景，提供高效、可靠的功率控制解决方案。
Si2302DS, IRF7409, FDS6675, BSC016N04LS5, PH2625LDH,115
