时间：2025/9/14 12:58:39
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PH20100S,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：20A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为22mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：83W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
PH20100S,115的主要特性包括低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率；采用Trench沟槽技术，提供更高的电流密度和更低的导通损耗；其高雪崩能量耐受能力确保了在极端条件下的稳定性和可靠性；此外，该器件具有良好的热稳定性，适用于高温工作环境。封装方面采用TO-252（DPAK）形式，便于安装和散热管理，适用于表面贴装工艺。
该MOSFET的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使其能够与常见的控制器和驱动电路直接接口，简化设计流程。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高高频操作的性能。PH20100S,115还具备优良的短路和过载保护能力，适合在工业和汽车环境中使用。
PH20100S,115广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于：高效DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及汽车电子模块如车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）。由于其优异的导通和开关性能，也适用于需要高可靠性和高效率的工业自动化设备和通信基础设施中的电源模块。
SiHH20N100DDC, STP20N100FI-1, IPP200N10N3G, FDP20N100DN
