时间：2025/5/8 10:24:05
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K9WAG08U1E-SCBO 是三星（Samsung）生产的 NAND Flash 存储芯片，采用 64Gb 容量设计，基于 MLC（Multi-Level Cell）技术。该芯片广泛应用于嵌入式系统、消费类电子设备以及工业级存储解决方案中，具有高可靠性和快速读写性能。
该型号支持 ONFI（Open NAND Flash Interface）标准，具备低功耗和高数据吞吐量的特点，适用于需要大容量存储且对性能有一定要求的场景。
容量：64Gb (8GB)
存储类型：MLC NAND Flash
接口标准：ONFI 2.3
工作电压：Vcc = 3.3V, Vccq = 1.8V / 3.3V
页面大小：8KB
块大小：512KB
通道数：8
擦除周期：3000 次
数据保留时间：10 年
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA 169 球
K9WAG08U1E-SCBO 提供了多种先进的功能和特性，以满足现代存储需求。
1. 高密度存储：单颗芯片即可提供 64Gb 的存储容量，减少了板级空间占用。
2. 快速读写速度：支持高达 200MB/s 的连续读取速度和 70MB/s 的连续写入速度，适合高速数据传输的应用。
3. 耐用性：MLC 技术结合优化的擦写算法，确保芯片在多次使用后仍能保持良好的性能和可靠性。
4. 低功耗设计：待机功耗极低，有助于延长电池驱动设备的续航时间。
5. 宽温范围：能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下稳定工作，适应各种恶劣条件下的应用需求。
6. 兼容性强：支持主流控制器和协议，便于集成到不同平台中。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的内置存储。
2. 固态硬盘（SSD）和其他外部存储设备。
3. 嵌入式系统，如网络路由器、工业控制设备和医疗设备。
4. 数字摄像头、摄像机及其他多媒体设备的数据存储。
5. 物联网（IoT）终端节点，用于本地数据缓存和处理。
K9WBG08U1M-SCBO, K9WCG08U1D-SCBO
