时间：2025/9/14 19:25:59
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PH0925CL,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP（Thin Small Outline Package）封装。该器件适用于多种高效率电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。PH0925CL,115 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合在空间受限的环境中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
通道数：2
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：9A
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP
PH0925CL,115 的主要特性之一是其双通道设计，使单个封装内可集成两个独立的 MOSFET，从而减少 PCB 空间和组件数量。该器件采用了 Nexperia 的先进沟槽式 MOSFET 技术，使其在低栅极电压下仍能保持较低的导通电阻。例如，在 VGS=4.5V 时，RDS(on) 仅为 35mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，PH0925CL,115 的最大漏极电流为 9A，适用于中等功率的开关应用。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了设计灵活性。该器件还具有良好的热稳定性，TSSOP 封装提供良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
由于其低导通电阻和高电流能力，PH0925CL,115 在同步整流、电池管理系统（BMS）和负载开关电路中表现出色。其封装形式也支持自动化装配，适合大规模生产应用。
PH0925CL,115 广泛应用于需要高效率和紧凑布局的电源管理系统中。例如，在 DC-DC 降压或升压转换器中，PH0925CL,115 可作为高侧和低侧开关，提供低导通损耗和高可靠性。此外，该器件也适用于电池供电设备，如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备中的电源管理电路。
在电机控制应用中，PH0925CL,115 可用于 H 桥结构，实现直流电机的正反转控制。其双通道设计使得只需一个封装即可完成两个开关功能，减少了 PCB 空间和组件数量，提高了系统的集成度。
另外，该器件也可用于负载开关或热插拔应用，控制电源的通断，防止电流冲击。由于其封装支持表面贴装技术（SMT），PH0925CL,115 非常适合用于自动化生产流程，适用于消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子模块。
Si3442DV, TPS2R018-Q1, FDMS8878, AO4406A
