PG671 时间：2025/12/27 8:24:14 阅读：14

PG671是一款由Panjit International Inc.生产的高性能、高可靠性的电子元器件，属于其广泛的产品线中的一员。该器件主要面向功率管理与电源转换应用领域，适用于需要高效能和稳定输出的电子系统。作为一款专为现代电源设计优化的半导体产品，PG671在封装技术、电气性能以及热管理方面均表现出色，能够满足工业控制、通信设备、消费类电子产品及汽车电子等多种应用场景的需求。该芯片采用先进的制造工艺，确保了低导通电阻、快速开关响应以及良好的温度稳定性。此外，PG671还具备过温保护、过流保护等内置安全机制，提升了系统的整体可靠性。由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，PG671常被用于DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关以及电池管理系统中。制造商提供了完整的技术文档支持，包括数据手册、应用指南和参考设计，便于工程师进行快速开发与调试。

参数

型号：PG671
　　制造商：Panjit International Inc.
　　器件类型：功率MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：18A
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=10V, Id=9A
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=4.5V, Id=9A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1350pF @ Vds=30V
　　输出电容（Coss）：470pF @ Vds=30V
　　反向恢复时间（trr）：未适用
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装

特性

PG671具备多项关键特性，使其在同类功率MOSFET产品中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适用于大电流应用场景。在Vgs=10V条件下，Rds(on)仅为18mΩ，而在驱动电压较低的4.5V时仍可保持23mΩ的低阻值，展现出良好的栅极驱动兼容性，适合与现代低电压逻辑控制器（如MCU或PWM控制器）直接接口。
　　其次，该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时有效抑制了寄生参数的影响。这种结构设计不仅增强了开关速度，还减少了开关过程中的能量损耗，有助于提升高频开关电源的整体能效。
　　再者，PG671具有出色的热性能表现。其TO-252封装具备良好的散热能力，通过底部导热片可将热量高效传导至PCB，配合适当的铜箔布局，可在不额外增加散热器的情况下处理较高功耗。该器件的工作结温高达+150°C，确保在高温环境下仍能稳定运行，适用于工业级和车载环境。
　　此外，PG671具备优异的雪崩耐量和抗浪涌能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持正常工作，增强了系统的鲁棒性。其栅极氧化层经过严格质量控制，具备高击穿电压容忍度，防止因静电放电（ESD）或电压尖峰导致的早期失效。这些特性共同保障了长期使用的可靠性，降低了现场故障率。

应用

PG671广泛应用于多种需要高效功率开关的电子系统中。在DC-DC转换器中，它常用于同步整流拓扑，替代传统肖特基二极管以降低导通压降，从而提高转换效率，尤其是在降压（Buck）和升压（Boost）电路中表现优异。其快速开关特性和低Rds(on)使其成为高频率开关电源的理想选择。
　　在电机驱动领域，PG671可用于H桥或半桥配置中的功率开关元件，驱动直流电机或步进电机，广泛应用于电动工具、家用电器和小型工业设备中。其高电流承载能力和热稳定性确保在持续负载下仍能可靠运行。
　　此外，该器件也适用于电池供电系统中的负载开关或电源路径管理，例如便携式医疗设备、移动电源和智能电表等。在此类应用中，PG671可通过控制栅极信号实现电源的软启动和断开，防止浪涌电流冲击后级电路。
　　在汽车电子系统中，PG671可用于车身控制模块、LED照明驱动和车载充电器等场景。其宽工作温度范围和高可靠性符合汽车级应用的基本要求。同时，由于其符合RoHS环保标准且具备无卤素选项，也满足现代电子产品对绿色环保的严格规范。