PG24FSUSC 时间：2025/9/11 15:57:26 阅读：14

PG24FSUSC 是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。PG24FSUSC封装形式为SUS（SOT-223），具备良好的散热能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大32mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SUS（SOT-223）

特性

PG24FSUSC 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于高电流负载的应用。其次，该MOSFET采用高耐压的沟槽结构设计，确保在高电压和大电流环境下仍能保持稳定工作。
　　此外，PG24FSUSC 采用SUS（SOT-223）封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持较低的结温，从而提高器件的可靠性与寿命。该器件还具备快速开关能力，可有效减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　在可靠性方面，PG24FSUSC 符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代电子制造的环保要求。同时，其栅极氧化层具有较高的耐用性，能够承受频繁的开关操作和瞬态电压冲击，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

PG24FSUSC 广泛应用于多个高功率电子系统中。首先，它常用于DC-DC降压/升压转换器，特别是在服务器电源、通信设备和嵌入式系统中，用于提高电源效率和减小电源模块体积。其次，在电机驱动电路中，PG24FSUSC 可作为H桥结构中的高边或低边开关，实现对直流电机或步进电机的高效控制。
　　此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，尤其在电动车、储能系统和便携式设备中发挥重要作用。在工业自动化和智能家电领域，PG24FSUSC 也常用于电源管理模块、负载开关和电源分配系统中，提供高可靠性和高效能的开关解决方案。