PG08HSUSC 时间：2025/9/11 11:51:42 阅读：6

PG08HSUSC 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET，广泛用于需要高可靠性和高性能的电子电路中。这款器件采用了先进的沟道技术，具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点。PG08HSUSC 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中，提供高效的功率控制解决方案。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：14mΩ @ Vgs = 10V
　　功耗（Pd）：3.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

特性

PG08HSUSC 具备多项优异特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件具有高耐压能力，漏极-源极电压可承受高达 30V，适用于多种电压范围的应用场景。
　　此外，PG08HSUSC 在开关速度方面表现优异，具备快速的上升和下降时间，有助于减少开关损耗，并提升高频应用的性能。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽泛，支持 10V 标准驱动电压，同时也兼容低电压控制器，增强了其在不同设计中的灵活性。
　　该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，具备良好的热性能和空间效率，非常适合紧凑型电路板设计。同时，其高可靠性使其适用于工业和汽车等要求苛刻的环境。PG08HSUSC 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作，提高系统的整体鲁棒性。

应用

PG08HSUSC 主要应用于电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池供电设备。在计算机和服务器主板中，它常用于 VRM（电压调节模块）设计，以实现高效的电源转换。在工业控制系统中，PG08HSUSC 可用于电机驱动和继电器控制电路，提供可靠的功率开关功能。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，PG08HSUSC 也适用于汽车电子系统，例如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和便携式音频设备中，PG08HSUSC 可作为高效的电源开关元件，延长电池寿命并提高设备的整体性能。