PG05GBUSV-RTK 时间：2025/9/12 12:32:20 阅读：21

PG05GBUSV-RTK 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频率、高效率的功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟道技术，提供低导通电阻和快速开关性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等领域。PG05GBUSV-RTK 采用紧凑的表面贴装封装（如 PowerFLAT 或类似封装），便于在高密度 PCB 设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PG05GBUSV-RTK 具备多项优异的电气和物理特性，适用于高性能电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，使其在大电流应用中表现出色。此外，该器件具备低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而减小外围电感和电容的尺寸，提升整体功率密度。
　　该MOSFET具备良好的热性能，得益于其封装设计和材料选择，能够有效散热，在高负载条件下保持稳定工作。其栅极驱动电压范围宽广（可达10V），兼容多种控制器和驱动电路，增强了设计的灵活性。
　　PG05GBUSV-RTK 还具备较强的抗雪崩能力和过载电流耐受性，能够在瞬态条件下保持可靠运行。其封装符合 RoHS 标准，支持环保制造流程，并具备良好的焊接性和装配兼容性，适用于自动化表面贴装工艺。

应用

PG05GBUSV-RTK 主要应用于需要高效率、高频开关和紧凑布局的电源系统。典型应用场景包括同步整流式 DC-DC 降压/升压转换器、负载开关电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也可用于通信设备、服务器电源、便携式电子产品和汽车电子系统中的电源管理部分。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高性能电源设计的理想选择。