时间：2025/12/28 14:39:29
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PG05FBESC是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场合。该器件采用TSON（热增强小型外形封装），具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于需要高功率密度的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.5A（在Tc=25°C）
功耗(Pd)：2.0W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
导通电阻(Rds(on))：最大26mΩ（在Vgs=10V时）
封装类型：TSON（热增强型）
安装类型：表面贴装
PG05FBESC的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率；采用热增强型封装，具有优异的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行；其高栅极耐压能力（±20V）增强了器件的可靠性和抗干扰能力；此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频应用，从而减小外部电感和电容的尺寸；同时，该器件符合RoHS标准，支持环保设计。
该器件的导通电阻随温度上升的变化较小，确保在不同工作温度下都能维持高效能；其封装设计优化了PCB布局空间的利用率，适合高密度安装；此外，PG05FBESC的制造工艺确保了良好的批次一致性，降低了设计和生产过程中的不确定性。
PG05FBESC适用于多种电源管理场景，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、电源分配系统以及便携式设备中的功率控制部分。该器件特别适合对空间和效率有较高要求的应用场景。
SiSS16DN, BSC059N03MS, FDS6675CZ
