时间：2025/8/7 8:55:29
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PFW20N50是一种N沟道功率MOSFET，广泛用于高电压和高电流的应用中。该器件由主要的半导体制造商生产，设计用于在高效率和高可靠性的环境中工作。PFW20N50的额定电压为500V，最大电流为20A，使其适用于多种功率转换和控制应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏极-源极电压：500V
导通电阻（Rds(on)）：约0.15Ω（典型值）
最大功率耗散：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
PFW20N50具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其高电压和高电流能力使其适合用于要求苛刻的工业和消费类应用。此外，PFW20N50的TO-247封装形式提供了良好的热性能，确保在高负载条件下的稳定性。
该器件的栅极电荷低，使其能够快速开关，从而减少开关损耗。PFW20N50的结构设计优化了雪崩能量耐受能力，提高了器件在瞬态条件下的可靠性。
在实际应用中，PFW20N50通常用于开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC转换器和逆变器等场景。其可靠的性能和广泛的适用性使其成为工程师设计高功率电子系统时的首选器件。
PFW20N50主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电路中。常见的应用包括开关电源、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器和工业自动化设备。此外，它也常用于消费电子产品中的功率管理电路，如电视电源和大型家电。
IRF20N50, FDPF20N50
