类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：8A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.75Ω（最大1.0Ω）
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等常见功率封装

8N60/CJPF08N60 MOSFET具有优异的开关性能和较低的导通电阻，使其在高频开关应用中表现出色。其高耐压特性（600V）使其适用于多种电源拓扑结构，如反激式、正激式和LLC谐振变换器。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，可在高温环境下稳定工作。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺制造，确保了器件的高可靠性和长寿命。其封装设计有利于散热，提高了整体系统的稳定性。8N60/CJPF08N60还具备较强的抗静电能力（ESD）和较高的dv/dt承受能力，使其在复杂电磁环境中依然表现稳定。
　　在驱动方面，8N60/CJPF08N60的栅极电荷较低，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。这使得它在高效节能的电源设计中具有广泛的应用前景。

8N60/CJPF08N60 主要应用于各类电源设备，包括开关电源适配器、LED驱动电源、电动车控制器、逆变器、DC-DC转换器以及电机控制电路等。在这些应用中，它能够实现高效的能量转换和稳定的输出性能。由于其高耐压和良好的导通特性，该器件在中小功率的电源系统中具有较高的性价比优势。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、家电控制模块和新能源系统的功率管理电路中。

FQP8N60C、STP8NM60ND、IRF8N60C、CSP08N60、JST08N60