FE252NH-LF 时间：2025/4/30 17:42:08 阅读：29

FE252NH-LF 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），属于增强型场效应晶体管。该器件专为高频、高效能应用设计，能够在高频工作条件下提供卓越的功率转换效率和快速开关性能。
　　这款芯片采用表面贴装封装形式，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电设备以及各类需要高效能量转换的场景。

参数

类型：增强型场效应晶体管
　　材料：氮化镓 (GaN)
　　最大漏源电压：200V
　　连续漏极电流：8A
　　导通电阻：30mΩ（典型值）
　　栅极电荷：12nC（典型值）
　　结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：LFPAK88

特性

FE252NH-LF 的主要特性包括：
　　1. 高击穿电压：高达200V，能够支持高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：30mΩ 的典型导通电阻显著降低了传导损耗。
　　3. 快速开关能力：由于其低栅极电荷和优化的内部结构，使得开关频率可以达到兆赫兹级别。
　　4. 高效节能：在高频开关条件下保持较低的功耗，适合对效率要求较高的应用。
　　5. 热稳定性强：能够在宽广的温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境。
　　6. 表面贴装封装：便于自动化生产，提高了装配效率并降低了成本。

应用

FE252NH-LF 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的高频功率转换。
　　2. DC-DC转换器，特别是在电动汽车或工业设备中。
　　3. 无线充电系统，支持更高效率的能量传输。
　　4. LED驱动器，实现精确的电流控制。
　　5. 光伏逆变器和储能系统中的功率管理模块。
　　6. 各类需要快速开关及高效率的应用场景，如电机驱动等。