FE252NH-LF 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),属于增强型场效应晶体管。该器件专为高频、高效能应用设计,能够在高频工作条件下提供卓越的功率转换效率和快速开关性能。
这款芯片采用表面贴装封装形式,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电设备以及各类需要高效能量转换的场景。
类型:增强型场效应晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:8A
导通电阻:30mΩ(典型值)
栅极电荷:12nC(典型值)
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:LFPAK88
FE252NH-LF 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:高达200V,能够支持高压应用场景。
2. 低导通电阻:30mΩ 的典型导通电阻显著降低了传导损耗。
3. 快速开关能力:由于其低栅极电荷和优化的内部结构,使得开关频率可以达到兆赫兹级别。
4. 高效节能:在高频开关条件下保持较低的功耗,适合对效率要求较高的应用。
5. 热稳定性强:能够在宽广的温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境。
6. 表面贴装封装:便于自动化生产,提高了装配效率并降低了成本。
FE252NH-LF 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的高频功率转换。
2. DC-DC转换器,特别是在电动汽车或工业设备中。
3. 无线充电系统,支持更高效率的能量传输。
4. LED驱动器,实现精确的电流控制。
5. 光伏逆变器和储能系统中的功率管理模块。
6. 各类需要快速开关及高效率的应用场景,如电机驱动等。
FGH252N20LAE
IPB60R099P7
GAN063-650WSA