您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FE252NH-LF

FE252NH-LF 发布时间 时间:2025/4/30 17:42:08 查看 阅读:13

FE252NH-LF 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),属于增强型场效应晶体管。该器件专为高频、高效能应用设计,能够在高频工作条件下提供卓越的功率转换效率和快速开关性能。
  这款芯片采用表面贴装封装形式,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电设备以及各类需要高效能量转换的场景。

参数

类型:增强型场效应晶体管
  材料:氮化镓 (GaN)
  最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:30mΩ(典型值)
  栅极电荷:12nC(典型值)
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:LFPAK88

特性

FE252NH-LF 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压:高达200V,能够支持高压应用场景。
  2. 低导通电阻:30mΩ 的典型导通电阻显著降低了传导损耗。
  3. 快速开关能力:由于其低栅极电荷和优化的内部结构,使得开关频率可以达到兆赫兹级别。
  4. 高效节能:在高频开关条件下保持较低的功耗,适合对效率要求较高的应用。
  5. 热稳定性强:能够在宽广的温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境。
  6. 表面贴装封装:便于自动化生产,提高了装配效率并降低了成本。

应用

FE252NH-LF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的高频功率转换。
  2. DC-DC转换器,特别是在电动汽车或工业设备中。
  3. 无线充电系统,支持更高效率的能量传输。
  4. LED驱动器,实现精确的电流控制。
  5. 光伏逆变器和储能系统中的功率管理模块。
  6. 各类需要快速开关及高效率的应用场景,如电机驱动等。

替代型号

FGH252N20LAE
  IPB60R099P7
  GAN063-650WSA

FE252NH-LF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价