类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：3A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

PFU3N90G 功率MOSFET具备一系列优良的电气和物理特性，使其适用于多种高电压和高功率应用环境。首先，其漏源电压高达900V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压电源系统。其次，该器件的最大漏极电流为3A，虽然不是大电流器件，但在中等功率系统中具有良好的性能表现。导通电阻约为2.5Ω，这一参数决定了器件在导通状态下的损耗水平，较低的导通电阻有助于提高系统的整体效率。
　　此外，PFU3N90G 的栅源电压为±30V，这意味着其栅极具有较高的耐压能力，避免在控制信号中出现过电压损坏器件。该MOSFET的功耗为50W，在TO-220封装中具备良好的散热性能，能够有效地将热量传导至外部散热器，从而保证器件在高负载条件下的稳定运行。
　　在温度特性方面，PFU3N90G 的工作温度范围为-55°C至+150°C，这使得其能够在极端环境条件下保持稳定工作，适用于工业级应用。TO-220封装不仅提供了良好的热管理能力，还便于安装和更换，适用于各种电子设备的设计和维护。

PFU3N90G 主要应用于需要高电压、中等电流控制的电力电子系统中。例如，在工业自动化设备中，它可作为电源开关或马达控制电路的一部分，用于调节电源供应或控制马达的启停与速度。在电源管理系统中，该MOSFET可用于构建高效能的DC-DC转换器或AC-DC整流电路，实现高效的能量转换。
　　在照明系统中，特别是LED照明和高压气体放电灯（HID）系统中，PFU3N90G 可用于驱动电路，控制灯具的开关与亮度调节。此外，在电源适配器、充电器以及不间断电源（UPS）等设备中，该器件也可用于功率开关或稳压电路，提高系统的整体效率。
　　消费电子领域如电视、音响设备中也可能使用PFU3N90G 作为电源管理元件，用于控制电源的通断或调节电压输出。同时，该MOSFET还可用于各种电源管理模块、电机驱动器以及开关电源（SMPS）设计中，提供高效、稳定的功率控制。

STP3NK90Z, FQA3N90C, IRF840, 2SK2141