类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：700V
　　最大漏极电流(Id)：1.5A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-220FM
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　输入电容(Ciss)：约900pF
　　反向恢复时间(trr)：快速恢复型

PFU1N70YS 具备多项优异的电气和热性能，适用于高电压和高频应用。首先，其最大漏源电压（Vds）可达700V，使其适用于高电压输入的电源系统，如通用交流输入（85V~264V AC）的开关电源。其次，该MOSFET采用超级结结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，其导通电阻具有正温度系数，有助于在高温下实现良好的电流均衡能力。
　　在开关特性方面，PFU1N70YS 具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）较低，确保了在驱动电路中的良好兼容性，并减少了驱动电路的复杂性。
　　该器件采用TO-220FM封装，具备良好的散热性能，能够在较高功耗条件下稳定运行。此外，该封装形式便于安装和散热片连接，适用于多种工业级应用环境。PFU1N70YS 还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载或异常工作条件下的可靠性。

PFU1N70YS 主要用于中低功率的电源管理系统，适用于多种开关电源拓扑结构，如反激式、正激式、LLC谐振变换器等。它广泛应用于AC-DC适配器、LED驱动电源、小型电源模块、充电器、智能电表、工业自动化设备以及消费类电子产品中。
　　由于其高击穿电压和低导通电阻，PFU1N70YS 特别适合用于高能效电源转换器，如80Plus认证的电源供应器。此外，在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和马达驱动系统中，该器件也可作为主开关或同步整流开关使用，提升系统整体效率。
　　在LED照明应用中，PFU1N70YS 可用于恒流驱动电路，确保LED光源的稳定性和寿命。同时，其良好的热稳定性和高频响应能力，使其成为高密度电源设计的理想选择。

FQP1N70, STF1N70, 1N70, FQA1N70