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GA1206A332JXABR31G 发布时间 时间:2025/5/16 17:01:06 查看 阅读:29

GA1206A332JXABR31G 是 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效能表现。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET,具有出色的热稳定性和可靠性,适合用于工业级和消费级电子设备中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关频率:1MHz
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A332JXABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高达 1MHz 的开关频率,非常适合高频应用场景。
  3. 具备良好的热性能,能够承受较高的结温,适用于高功率密度设计。
  4. 内置反向恢复二极管,优化了开关行为并减少了开关损耗。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 封装形式坚固耐用,便于散热管理。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),例如 AC-DC 和。
  2. 电机驱动电路,用于控制无刷直流电机 (BLDC) 或步进电机。
  3. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换部分。
  5. LED 照明驱动器和其他需要高效功率处理的应用场景。

替代型号

GA1206A332KXABR31G, IRFZ44N, FDP5800

GA1206A332JXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-