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NUP4301MR6T1G 发布时间 时间:2025/4/29 10:53:37 查看 阅读:1

NUP4301MR6T1G 是一款由钰创科技(Etron Technology)推出的高性能 DDR4 UDIMM 内存模组,主要面向服务器、台式机和工作站等应用领域。该芯片采用了先进的制程工艺,在功耗和性能之间实现了良好的平衡,同时支持更高的频率和更大的带宽,满足现代计算环境对内存性能的严苛要求。
  此型号中的具体后缀表明了其容量、工作电压以及封装形式等特性。

参数

类型:DDR4
  容量:16GB
  速度:3200MT/s
  电压:1.2V
  封装:BGA
  引脚数:288
  工作温度:0°C 至 85°C
  数据宽度:x64

特性

NUP4301MR6T1G 具备以下显著特性:
  1. 支持 DDR4 标准协议,提供更快的数据传输速率,相比前代 DDR3 提升明显。
  2. 采用低功耗设计,运行电压仅为 1.2V,从而有效降低系统的整体能耗。
  3. 内置 ECC(Error Correction Code)功能,能够检测并纠正单比特错误,显著提高数据可靠性。
  4. 高密度存储技术使得单颗芯片即可实现大容量配置,减少了 PCB 的空间占用。
  5. 符合 JEDEC 标准,确保与其他硬件的高度兼容性。
  6. 支持多 rank 架构,进一步增强内存子系统的灵活性和扩展性。

应用

NUP4301MR6T1G 广泛应用于需要高带宽和低延迟的场景中,包括但不限于:
  1. 数据中心和企业级服务器,用于处理大规模数据运算和存储。
  2. 高性能计算 (HPC) 系统,助力科学仿真、人工智能训练等任务。
  3. 工作站和高端台式机,为图形设计、视频编辑等专业软件提供强大的内存支持。
  4. 虚拟化环境下的资源池分配,优化虚拟机性能表现。

替代型号

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NUP4301MR6T1G参数

  • 标准包装1
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)-
  • 电压 - 击穿70V
  • 功率(瓦特)-
  • 电极标记4 通道阵列 - 双向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SC-74
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称NUP4301MR6T1GOSDKR