PFU1N70YG 时间：2025/8/6 21:59:55 阅读：36

PFU1N70YG是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超级结MOSFET系列。该器件适用于高电压、高频率和高效率的开关应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动电路以及工业控制系统等。PFU1N70YG采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，使其在高温和高负载条件下仍能保持稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：700V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：1.5A（在25℃）
　　最大耗散功率（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.8Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

PFU1N70YG功率MOSFET具备多项优异特性，首先其最大漏极电压为700V，能够满足高压应用的需求，适用于开关电源和AC-DC转换器等高电压系统。其N沟道结构和超级结技术使得导通电阻低至2.8Ω以下，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件的最大连续漏极电流为1.5A，在25℃环境温度下可提供稳定的电流输出，同时具备良好的热稳定性，适用于中低功率应用。最大耗散功率为50W，支持较高的功率密度设计。
　　此外，PFU1N70YG的栅极电压容限为±30V，具有较高的抗干扰能力，避免因过压导致的栅极击穿。工作温度范围宽广（-55℃ ~ +150℃），适用于工业级和汽车电子等复杂环境条件下的稳定运行。
　　采用TO-220FP封装形式，不仅具备良好的散热性能，还便于安装和使用在各种电路板上。该封装形式广泛应用于功率电子设备中，具有较强的通用性和可替换性。

应用

PFU1N70YG广泛应用于多个领域，主要包括：开关电源（SMPS）中的高压开关元件，用于提高电源转换效率并减小体积；LED照明驱动电路，适用于高电压输入环境下的恒流驱动控制；DC-DC转换器中的高频开关元件，以实现高效率和高稳定性；工业自动化控制系统中的功率开关，适用于各种需要高压隔离和快速响应的场合；以及消费类电子产品中的电源管理模块，如适配器、充电器和节能灯具等。