FT0610NH 时间：2025/8/7 5:25:59 阅读：20

FT0610NH 是一款由 FORTIOR Technologies（富士岛科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用，例如电源管理、DC-DC 转换器和马达控制等。该器件采用高密度沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合在中高功率场景下使用。其封装形式为常见的 TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（@25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.45Ω @ Vgs=10V
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-220
　　极性：N 沟道增强型

特性

FT0610NH 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺，具有优异的热稳定性和较高的电流承载能力。此外，其 TO-220 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还能方便地安装在标准的 PCB 上，适用于多种电源设计场景。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，使其能够兼容多种驱动电路设计。同时，其最大漏极电流可达 10A，在适当的散热条件下可支持更高的连续工作电流。此外，FT0610NH 还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压和过流，提高了系统的可靠性和稳定性。
　　在高频开关应用中，FT0610NH 的开关损耗较低，有助于提高电源转换效率，并减少发热。其内部结构优化了电容参数，降低了开关过程中的能量损耗，适用于诸如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关等高效率要求的应用场景。

应用

FT0610NH 主要应用于各种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻，非常适合用于需要高效能和稳定性的中高功率应用场景。
　　在电源设计中，该器件常用于同步整流电路，以提高转换效率；在电池管理系统中，它可用于充放电控制和保护电路；在马达驱动中，它能够作为 H 桥的下桥或上桥开关，实现高效的电机控制。此外，FT0610NH 也广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制设备以及车载电子系统中。