类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：120V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：@10V VGS时为2.5mΩ，@4.5V VGS时为3.2mΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装

GM5BC01250AC 具有优异的电气特性和高可靠性，特别适用于高功率密度和高效能电源系统。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏源电压为120V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用。此外，它支持高达120A的连续漏极电流，满足高电流负载的需求。其封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能，适合高功率应用环境。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（可支持4.5V至10V），使其兼容多种驱动电路设计。其高耐温能力（最高工作温度可达175°C）确保在严苛工作条件下仍具备稳定的性能表现。此外，该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在突发过电压情况下的可靠性。
　　从电气特性来看，GM5BC01250AC 在10V VGS下的导通电阻仅为2.5mΩ，有助于减少导通损耗，提升整体系统效率。而在4.5V VGS下，其RDS(on)也保持在较低水平（3.2mΩ），表明其适用于低压驱动电路。该MOSFET的封装设计具备良好的热管理能力，可有效散热，防止因温度过高导致的性能下降或损坏。此外，其表面贴装封装（TO-263）便于自动化生产，提高了制造效率。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和封装设计方面都具备较强的竞争力，适合多种高功率应用场景。

GM5BC01250AC 可广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于：高效率DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源开关、功率因数校正（PFC）电路、工业自动化设备、电动车电源系统以及各种需要高效率功率开关的电路设计。由于其具备高耐压、大电流和低导通电阻等特性，该器件特别适合用于需要高功率密度和高稳定性的应用场景。

SiS120N10NQ、IPB120N10N3GKSA1、FDP120N10A、FDMS86201