PFF6N90 时间：2025/8/7 4:59:48 阅读：9

PFF6N90 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电压、高效率的电源管理系统，具备低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于多种功率电子设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：900V
　　最大连续漏极电流 Id：6A
　　最大功率耗散：50W
　　导通电阻 Rds(on)：约 1.3Ω
　　栅极电荷 Qg：18nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

PFF6N90 具备多项优异特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其高达 900V 的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高压电源转换系统，例如开关电源（SMPS）、LED 驱动器和工业电机控制设备。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）约为 1.3Ω，可以显著减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，PFF6N90 的栅极电荷（Qg）为 18nC，这使得其在高频开关应用中表现良好，有助于降低开关损耗。其封装设计具备良好的热管理和散热性能，能够在高温环境下稳定运行。该器件的可靠性高，工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适用于各种严苛的工业环境。

应用

PFF6N90 广泛应用于多种高电压和中功率的电子系统中。其主要用途包括开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器、电动工具、家电电机控制、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制电路。此外，由于其具备高击穿电压和较低的导通损耗，该 MOSFET 也常用于 DC-DC 转换器和逆变器等电源拓扑结构中，以实现高效的能量转换。