H26M64002DQRS 时间：2025/9/1 19:40:11 阅读：12

H26M64002DQRS 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高速DRAM系列，广泛用于需要较高数据处理速度和存储容量的电子设备中。该型号属于异步DRAM类别，具有相对较大的存储容量和较高的数据传输速率，适用于工业控制、通信设备、消费电子产品等领域。

参数

容量：64Mbit
　　组织结构：4M x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　最大存取时间：5.4ns
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工艺技术：CMOS
　　数据速率：166MHz

特性

H26M64002DQRS 采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高稳定性的特点，适合在各种工业和商业环境中使用。
　　其TSOP封装设计有助于减少封装尺寸并提高电路板的集成度，适合空间受限的应用场景。
　　该芯片支持166MHz的数据传输速率，能够满足需要高速数据处理的应用需求。
　　工作温度范围宽，从-40°C到+85°C，使其适用于各种恶劣的工作环境。
　　由于其4M x 16的组织结构，H26M64002DQRS 能够提供较大的数据宽度，提高数据吞吐量。
　　此外，该芯片还具备较高的可靠性和较长的使用寿命，适合在需要长时间运行的系统中使用。

应用

H26M64002DQRS 常用于需要高速数据存储和处理的设备，如网络路由器、交换机、工业控制设备、视频采集系统、通信基站、嵌入式系统以及高性能消费电子产品等。
　　在工业自动化领域，它可以作为主存或缓存，用于临时存储大量数据和程序代码。
　　在通信设备中，该芯片能够提升数据缓冲和处理能力，确保数据传输的稳定性和高效性。
　　同时，由于其宽温特性和高可靠性，H26M64002DQRS 也非常适合在车载电子系统、安防监控设备等需要在复杂环境下工作的应用中使用。