PFF18N50是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。这款MOSFET以其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性著称,适用于多种高功率电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C至150°C
PFF18N50具有低导通电阻,这使得它在导通状态下能够减少功率损耗,提高效率。此外,该器件的高耐压能力使其适用于高压应用,如电源转换和电机控制。
其良好的热管理特性确保了在高温环境下也能稳定工作,延长了设备的使用寿命。同时,PFF18N50采用了标准的TO-220封装,便于安装和散热,非常适合于高功率密度的设计需求。
这款MOSFET还具备较高的抗浪涌电流能力,能够承受短时间内的大电流冲击,从而提高了系统的可靠性。
PFF18N50主要用于电源管理、开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制、逆变器以及各种高电压和高功率电子设备中。它也常用于工业自动化设备和消费类电子产品中的电源开关部分。
IRF840, FDPF18N50