MSM82C51A-2RS 是一种 CMOS 工艺制造的高性能、低功耗静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片具有高速读写能力,广泛应用于需要高稳定性和快速数据处理的场景。其静态工作特性使其能够在不刷新的情况下保存数据,非常适合用作微处理器的缓存或临时数据存储。
该器件采用 28 引脚 SOIC 封装,具有出色的抗噪能力和可靠性,适合工业和商业应用环境。
容量:64K x 8 bits
工作电压:2.5V 至 3.6V
访问时间:10ns(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOIC-28
静态电流:2mA(最大值)
动态电流:35mA(最大值)
MSM82C51A-2RS 具有以下主要特性:
1. 高速性能:支持高达 100MHz 的时钟频率,确保快速的数据吞吐量。
2. 静态存储:无需刷新操作即可保持数据完整性。
3. 低功耗设计:在待机模式下消耗极低的电流,非常适合电池供电设备。
4. 单电源供电:简化了电路设计并降低了成本。
5. 高可靠性:经过严格的测试流程,能够在广泛的温度范围内稳定运行。
6. 完善的保护机制:内置过压和欠压保护功能,提高系统稳定性。
MSM82C51A-2RS 广泛应用于以下领域:
1. 工业控制:用于实时数据采集与处理,确保系统的高效运行。
2. 通信设备:作为缓存或临时存储单元,提升数据传输速度。
3. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪等需要快速响应的设备。
4. 嵌入式系统:为微控制器提供扩展内存,增强其计算能力。
5. 医疗设备:用于数据记录和分析,保证信息的准确性和安全性。
MSM82C51A-7R, MSM82C51A-10R