时间：2025/8/7 14:18:18
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PFF12N65是一种N沟道增强型功率MOSFET，通常用于电源管理和开关应用。这款器件具有高耐压和低导通电阻的特点，适用于需要高效率和高性能的电子系统。PFF12N65的封装形式通常为TO-220，便于散热并适合工业标准。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω
功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
PFF12N65的主要特性包括高耐压能力，使其适用于高电压应用；低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速开关特性，适合高频开关应用。PFF12N65的封装设计优化了散热性能，确保在高电流条件下稳定运行。
其栅极驱动特性简单，易于控制，适合多种电路设计。此外，该MOSFET的可靠性高，能够在恶劣环境下保持稳定性能，适合工业和电力电子设备使用。
PFF12N65广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、照明系统以及各种电力电子设备中。由于其高耐压和低导通电阻特性，特别适合需要高效能和高可靠性的场合。
IPP12N65C3, STP12N65M5, FDPF12N65
